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BSB014N04LX3 G 全國供應商、價格、PDF資料

BSB014N04LX3 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：180A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：196nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：16900pF @ 20V; 功率_最大：89W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-WDSON; 供應商設備封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包裝：帶卷 (TR)

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C0603C622K5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 6200PF 50V 10% NP0 0603
C0805C105K8NACTU
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BK/S501-400-R
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